在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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36氪获悉，日前，AI运动科技公司“致敬未知”宣布完成超亿元Pre-A轮融资。本轮融资由创维投资、博裕创投、联想创投、广发乾和等多家机构联合投资，创瓴资本担任本轮独家财务顾问。本次募集资金将主要用于全球化市场拓展、新产品研发及核心技术创新。，这一点在同城约会中也有详细论述
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